6. Комплекс микроструктурирования поверхности оптических материалов
Ответственный: д. т. н. Корольков Виктор Павлович, тел.: (383) 3333-091; факс: (383) 3333863; e-mail: victork@iae.nsk.su
Общая характеристика:
Экспериментальный комплекс микроструктурирования поверхности оптических материалов обеспечивает возможность напыления покрытий, формирование микрорисунка фотошаблонов, микроструктуры рельефно-фазовых оптических элементов на поверхности оптических подложек.
Комплекс позволяет изготавливать фотошаблоны общего назначения, бинарные и многоуровневые дифракционные оптические элементы, конформальные корректоры аберраций лазерных кристаллов, травить кварцевые подложки на глубину до 5 мкм, напылять плёнки хрома и меди на подложки диаметром до 350 мм, изготавливать экспериментальные образцы прецизионных подложек, линз и призм, осуществлять резку оптических кристаллов.
Состав:
Установка магнетронного напыления металлов АТС-220ОН;
Установка реактивного ионного травления Plasmalab 80Plus;
Круговая лазерная записывающая система CLWS-300IAE;
Чистая комната участка фотолитографии с комплексом приборов микроскопического и профилометрического контроля;
Оптический участок с комплексом технологического и метрологического оборудования по изготовлению уникальных оптических элементов.
Комплекс прецизионного прототипирования проводит полный цикл работ по изготовлению опытных образцов и опытных партий изделий по чертежам заказчика. Поддержка собственной базы экспериментального производства сделала ЦКП ИАиЭ СО РАН незаменимым партнёром по разработке приборов и технологического оборудования для ряда российских научно-производственных организаций, ограниченных в возможностях использования импортного оборудования. Сосредоточение современного технологического оборудования в ЦКП при академическом институте в сочетании с высочайшей квалификацией операторов создаёт центры компетенции, которые становятся базой для делового сотрудничества с российскими научно-производственными предприятиями и помогает им перейти на новые технологии и выпуск новой продукции.
Состав комплекса:
Обрабатывающий центр с ЧПУ ВХ300А (Pinnacle Machine)
Станок круглошлифовальный MG1432E/1000
Станок токарный с ЧПУ НТС45150
Станок универсальный заточной "РР-50+50D+50F"
3. Комплекс для исследования структуры материалов на нанометровых масштабах
Ответственный: д. ф.-м. н., проф. Малиновский Валерий Константинович, тел. (383) 3309048; факс: (383) 3333863; e-mail: malinovsky@iae.nsk.su
Комплекс включает следующее основное оборудование:
Спектрометр ИК-Фурье Vertex 80V
Тройной Рамановский спектрометр TR777AS с лазером Torus 750 и цифровой системой многоканальной регистрации спектра Spec-10 System
Дифференционный сканирующий калориметр динамического тепловоого потока с системой охлаждения LN2
Спектрометр JRS TFP-1в комплекте с источником излучения EXLSR-532-200-CD
исследования полупроводниковых материалов и структур, в том числе систем пониженной размерности, без нарушения их функционирования;
бесконтактных неинвазивных исследований конформационных превращений биологических объектов под влиянием окружающей среды и при взаимодействии друг с другом;
изучения внутренней структуры и идентификации сложных биологических молекул (аминокислот, полипептидов, белков, ДНК и РНК);
неинвазивной диагностики, в т. ч. в медицине;
обнаружения взрывчатых, наркотических и других опасных веществ.
Терагерцовые спектрометры с накачкой и регистрацией ТГц-излучения на основной (λ=1550 нм) и второй гармонике (λ=775 нм) импульсных (~100 фс) эрбиевых волоконных лазеров. Генерация терагерцового излучения осуществляется за счёт эффекта оптического выпрямления или эффекта Дембера, а регистрация напряжённости терагерцового поля - поляризационно-оптическим методом.
Спектрометры обеспечивают измерения отражения и пропускания
спектральный диапазон: 0,1-2,5 ТГц
спектральное разрешение ≤10 ГГц
динамический диапазон
амплитуды терагерцового поля ≥1000
длина волны лазера накачки, нм 775, 1550
длительность лазерного импульса, фс 100
2. Комплекс для создания и исследования оптических и нелинейно-оптических свойств нанокомпозитных сред
Ответственный: к. ф.-м. н. Микерин Сергей Львович, тел. (383) 3333174; факс: (383) 330-88-78; e-mail: mikerinsl@iae.sbras.ru
Общая характеристика:
Комплекс обеспечивает возможность создания нанокомпозитных сред при лазерном испарении мишени в буферном газе, инфильтрации наноразмерных объектов в матрицы или пористые вещества, фотомодификации сред при лазерном воздействии, исследование оптических спектров сред, спектров комбинационного рассеяния, а также нелинейно-оптических свойств нанокомпозитных сред методами Z-сканирования, пробного поля, четырехфотонного рассеяния в широком спектральном диапазоне.
Ответственный:
