С наступающим 2024 годом!

Дорогие колеги!

Примите искренние поздравления с наступающим Новым годом! Пусть будущий год бережно сохранит всё самое лучшее и принесёт в каждый дом удачу, благополучие, успех вашим делам и начинаниям!

Дирекция ИАиЭ СО РАН

21.12.2023

В ИАиЭ СО РАН исследуют кристаллы GaSe:S и BaGa4Se7, а также развивают методы прямой лазерной записи антиотражающих структур на их поверхности

В Институте автоматики и электрометрии СО РАН изучили оптические свойства кристаллов селенида галлия (GaSe), легированных серой, и оценили потенциал их применения в телекоммуникационных системах следующего поколения, а также создали антиотражающие микроструктуры на поверхности нелинейно-оптических кристаллов.

Подробнее...

19.12.2023

В ИАиЭ СО РАН разработана технология прямой лазерной записи дифракционных структур на двухслойных материалах

В Институте автоматики и электрометрии СО РАН в лаборатории дифракционной оптики осуществляется разработка и исследование термохимической технологии прямой лазерной записи на двухслойных металлосодержащих материалах. В частности, исследовалось использование металлических плёнкок подгрупп хрома и титана. Полученные результаты расширяют возможности термохимической лазерной записи микроструктур и элементов дифракционной оптики.

Подробнее...