2025

Разработка технологии изготовления высокоразрешающих резистов на основе халькогенидных материалов

Проведен комплекс работ по совершенствованию технологии получения тонких слоев составов As2S3 и As2Sе3 в нанометровом и микронном диапазонах толщин.

Экспериментально подтверждено, что полученные слои состава As2Sе3 обеспечивают пространственную разрешающую способность на уровне 100 нм. При голографической записи на таких слоях отражательных решеток с плотностью штрихов 1200 мм-1 величина одного периода решеток составляет 833 нм, а «паразитное» рассеяние находится на уровне 5х10–6. На слоях состава As2S3 получены образцы дифракционных решеток с периодом 420 нм для ортогонального ввода/вывода лазерного излучения в планарные волноводы.

Такие слои (резисты) необходимы для записи дифракционных решёток синхротронного излучения, для создания элементов интегральной оптики, а также для коррекции астигматизма и комы в оптических спектрометрах.