Институт в фотографиях

18.01.2021

Ушёл из жизни талантливый учёный-исследователь Эдуард Геннадьевич Косцов

В газете «Наука в Сибири» вышла памятная статья об Эдуарде Геннадьевиче Косцове.

Эдуард Геннадьевич Косцов – «Наука в Сибири», Новосибирск, № 1, с. 8, 14 января 2021 г. (pdf)

Kostsov EG, Косцов ЭГ1.04.1937–16.12.2020

Э.Г. Косцов – доктор физико-математических наук, заведующий лабораторией тонкоплёночных сегнетоэлектрических структур ИАиЭ СО РАН (1993–2020), Заслуженный ветеран СО РАН; известный специалист в области физической электроники, физики диэлектриков, сегнетоэлектриков и элементной базы микроэлектроники, микро/наноэлекромеханики. Он автор или соавтор более 300 научных работ, 6-ти монографий, 30 изобретений и международных патентов.

Эдуард Геннадьевич Косцов родился 1 апреля 1937 года в г. Минске. В 1960 г. окончил Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского по специальности физика. С 1960 г. работал в Сибирском отделении Академии наук СССР. Сначала в Институте математики, а с февраля 1972 г. – в составе подразделения переведён в Институт автоматики и электрометрии СО АН. В 1969 г. защитил кандидатскую диссертацию, в 2000 ему была присуждена степень доктора физико-математических наук.

Круг научных интересов Э.Г. Косцова был связан с разработкой новых элементов микроэлектроники, теоретическим и экспериментальным исследованием физических процессов в диэлектрических и сегнетоэлектрических плёнках.

Им создана теория переходных токов в диэлектрических слоях при ограниченном уровне монополярной инжекции, установлены механизмы протекания нестационарных инжекционных токов в диэлектриках.

Впервые установлен локальный по поверхности электродов характер прохождения инжекционного тока в тонкоплёночных МДМ-структурах. Развита теория теплового пробоя тонких диэлектрических плёнок, возникающего в диэлектрике благодаря формированию температурной неустойчивости в области сосредоточения инжектированного в образец заряда.

Наконец, разработана технология изготовления высококачественных плёнок сегнетоэлектрических материалов. Плёнки ниобата-бария-стронция – излюбленного модельного материала Э.Г. Косцова – были получены впервые в мире.

Оригинальные идеи Э.Г. Косцова порождали уникальные разработки.

Еще в 1963 году им были созданы первые в стране тонкоплёночные полевые транзисторы, матрицы диодов, прецизионные сопротивления и другие элементы с высокими для того времени параметрами. На основе этих работ в 1964–65 гг. был успешно выполнен большой договор по разработке элементов первых микроэлектронных бортовых цифровых вычислительных машин для космической отрасли. Успех этой работы послужил основанием для становления технологии микроэлектроники на промышленных предприятиях г. Новосибирска и, в первую очередь, на НПО «Восток» (тогда НЭВИ).

Большой пласт работ Э.Г. Косцова был посвяшён разработке радиационно стойких, управляемых электрическим полем элементов динамической и постоянной памяти на основе тонкоплёночных сегнетоэлектрических структур.

Исследования физических основ электромеханического преобразования энергии в нанометровых зазорах микромеханических конструкций привели к возникновению ряда физико-технических направлений. Так, в 2000 годах под руководством Э.Г. Косцова были разработаны микромощные электростатические двигатели и актюаторы на основе нанозазора между плёнкой сегнетоэлектрика и металлом. Совместно с автопроизводителем Фиат получено несколько патентов. Работы с Новосибирским заводом полупроводниковых приборов привели к созданию микрогенераторов-хавестеров на основе таких плёнок и электретов.

Под руководством Э.Г. Косцова выполнено более 30 крупных фундаментальных и прикладных НИР, связанных с разработкой новых элементов микроэлектроники, физических аспектов построения оптико-электронных процессоров, ряда технологических исследований.

Возглавляемый Э.Г. Косцовым коллектив стал одним из лидеров, как в России, так и в мире, в разработках МЕМS-структур – быстро развивающегося направления современных информационных технологий. Работы Э.Г. Косцова неоднократно упоминались в числе наиболее важных результатов АН, РАН и СО РАН.

Он оказал большое и плодотворное влияние на становление молодых сотрудников, под его руководством подготовлены 4 кандидатских диссертации, Э.Г. Косцов был научным руководителем более 20 дипломников НГУ, НГТУ и других вузов; награждён дипломом за руководство лучшей научной студенческой работой России, был постоянным членом международного общества инженеров электротехники и электроники IEEE.

Его труд отмечен Почётными грамотами Президиумов АН, РАН, СО РАН; ИАиЭ СО РАН.

Для Э.Г. Косцова как для физика-исследователя были характерны большая активность и целеустремлённость в научной работе, трудолюбие и принципиальность в обсуждении научных вопросов. В общении его всегда отличали острота мысли, искромётное чувство юмора, постоянно позитивный, оптимистичный настрой и доброта.

Приносим соболезнования родным, близким и коллегам Эдуарда Геннадьевича.

Коллектив ИАиЭ СО РАН