Том 45 № 4 2009 (ИЮЛЬ - АВГУСТ)

СОДЕРЖАНИЕ НОМЕРА

Автор / Название статьи	номер страницы
От составителя выпуска	3
МАТЕРИАЛЫ И ТЕХНОЛОГИИ ДЛЯ НАНО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ
Наумова О. В., Фомин Б. И., Сафронов Л. Н., Насимов Д. А., Ильницкий М. А., Дудченко Н. В., Девятова С. Ф., Жанаев Э. Д., Попов В. П., Латышев А. В., Асеев А. Л. Кремниевые нанопроволочные транзисторы для электронных биосенсоров	6
Наумова Е. В., Принц В. Я., Голод С. В., Селезнев В. А., Сейфи В. А., Булдыгин А. Ф., Кубарев В. В. Киральные метаматериалы терагерцового диапазона на основе спиралей из металл-полупроводниковых нанопленок	12
Якушев М. В., Брунев Д. В., Варавин В. С, Дворецкий С. А., Предеин А. В., Сабинина И. В., Сидоров Ю. Г., Сорочкин А. В., Сусляков А. О. Гетероструктуры CdHgTe на подложках Si(310) для инфракрасных фотоприемников	23
Вишняков А. В., Варавин В. С, Гарифуллин М. О., Предеин А. В., Ремесник В. Г., Сабинина И. В., Сидоров Г. Ю. Исследование влияния постимплантационного отжига на вольт-амперные характеристики ИК-фотодиодов на основе p-CdHgTe	32
Костюченко В. Я. Фотопроводимость в магнитном поле и фотомагнитный эффект в варизонных пленочных фотоприемных структурах p-CdHgTe	41
Новиков П. Л., Ле Донне А., Череда С, Мильо Л., Пиццини С, Бинетти С, Ронданини М., Каваллотти К., Крастина Д., Моисеев Т., Вон Канел X., Изелла Дж., Монталенти Ф. Феноменологическая модель образования нанокристаллических пленок кремния при плазмохимическом осаждении	49
Соколов Л. В., Дерябин А. С, Родякина Е. Е. Индуцированное углеродом формирование наноостровков Ge при молекулярно-лучевой эпитаксии гетероструктур Ge/CaF₂/Si(111)	56
Зиновьев В. А. Зарождение дислокаций в наноразмерных SiGe-островках, формируемых в процессе гетероэпитаксиального роста	60
Шестаков А. К., Журавлев К. С. Моделирование работы полевых транзисторов на основе гетеропереходов GaAs/AlGaAs	66
Настовьяк А. Г., Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л., Шеремет Е. С. Механизмы формирования нановискеров (моделирование методом Монте-Карло)	72
Новиков Ю. Н., Гриценко В. А., Насыров К. А. Оптимизация диэлектрической проницаемости блокирующего диэлектрика в энергонезависимой памяти, основанной на нитриде кремния	80
Галкин П. С, Игуменов И. К., Климов А. Э., Кубарев В. В., Неизвестный И. Г., Пашин Н. С, Чесноков Е. Н., Шуйский В. Н. Разработка элементов системы регистрации изображений в терагерцовой области спектра на основе пленок PbSnTe:In	85
Деребезов И. А., Гайслер В. А., Бакаров А. К., Калагин А. К., Торопов А. И., Качанова М. М., Гаврилова Т. А., Медведев А. С, Ненашева Л. А., Шаяхметов В. М., Семенова О. И., Грачев К. В., Сандырев В. К., Третьяков Д. Б., Бетеров И. И., Энтин В. М., Рябцев И. И. Одномодовые лазеры с вертикальным резонатором для миниатюрных атомных стандартов частоты	95
Зверев А. В., Романов С. И., Титовская Я. В., Шварц Н. Л., Яновицкая 3. Ш. Математическое моделирование процесса создания наноканальных мембран	102
Курочкин В. Л., Зверев А. В., Курочкин Ю. В., Рябцев И. И., Неизвестный И. Г. Применение детекторов одиночных фотонов для генерации квантового ключа в экспериментальной оптоволоконной системе связи	110
Вольдемар Петрович Коронкевич	120