№ 6 1980 (НОЯБРЬ - ДЕКАБРЬ)

СОДЕРЖАНИЕ НОМЕРА

Автор / Название статьи	номер страницы
От редакции	3
ТЕХНОЛОГИЯ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР
В. И. Бударных, Л. М. Логвинский, Ю. Е. Нестерихин, Л. М. Остаповский, В. Э. Рябченко, В. Г. Цукерман. Разработка технологического варианта автоматизированной системы молекулярно-лучевой эпитаксии	4
Н. А. Берт, А. Т. Гореленок, А. Г. Дзигасов, С. Г. Конников, Т. Б. Попова, И. С. Тарасов, В. К. Тибилов. Твердые растворы InGaAsP, изопериодические с InР	11
Г. И. Жовнир, И. Е. Марончук. Процессы массопереноса при получении эпитаксиальных структур соединений A_III В_V из жидкой фазы	22
Н. Д. Василенко, А. М. Дьяченко, И. Е. Марончук, Э. Е. Марончук. Микровключения растворителя в эпитаксиальных структурах, выращенных из жидкой фазы	32
Н. А. Берт, С. Г. Конников, В. Е. Уманский. Рентгеноструктурные исследования гетероэпитаксиальных слоев с помощью электронного зонда	37
Н. А. Гунько, С. Г. Конников, Т. Б. Попова, Э. А. Тропп. Применение метода Монте-Карло при решении задач рентгеноспектрального микроанализа тонких гетероэпитаксиальных слоев и структур на их основе	45
В. Ф. Коваленко. Методы контроля эпитаксиальных слоев полупроводников переменного состава	54
А. В. Абрамов, Д. Ахмедов, И. Исмаилов, В. А. Мишурный, Д. Н. Третьяков. Методические особенности исследования диаграммы состояния Ga—In—Р	64
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ
В. И. Бударных, В. Ф. Краснов, В. Э. Рябченко. Фотоэмиссионные свойства пленок p-GaAs : Cs, О, полученных методом молекулярной эпитакcии	69
В. В. Ахтырский, А. И. Базык, Б. И. Сушко, А. М. Тузовский, Л. Г. Шепель. Преобразователи солнечной энергии на основе GaAs, отожженного в растворе Аl	71
В. М. Андреев, Ю. М. Задиранов, В. И. Корольков, Т. С. Табаров, В. С. Юферев. Фотоэффект в плавных изотипных и анизотипных AlGaAs-гетероструктурах при высоких уровнях освещенности	76
А. Т. Гореленок, М. 3. Жингарев, В. В. Мамутин, В. К. Тибилов, А. С. Усиков. Высокоэффективные гетерофотодиоды InGaAsP — InP в спектральном диапазоне 1,0—1,6 мкм	82
СРЕДЫ ДЛЯ ОПТИЧЕСКОЙ ПАМЯТИ
Е. В. Дулепов, В. А. Иванченко, В. Г. Цукерман, Н. Ю. Чернышева. Структурно-морфологические превращения в пленках сульфида мышьяка, индуцированные освещением и термообработкой	85
Р. И. Машковцев, В. Г. Цукерман. О природе фотоиндуцированных парамагнитных центров в системе As—S	91
A. Н. Климин, М. Н. Короткевич, О. В. Шмарина. К вопросу о механизме селективного растворения пленок сульфида мышьяка	94
B. Я. Бугров, А. С. Игнатьев, В. В. Капаев, В. Г. Мокеров, А. Г. Петрова. Реверсивный накопитель информации на основе пленок двуокиси ванадия	96
В. Ф. Краснов, В. Г. Ремесник. О механизме обратимых фотоструктурных превращений в пленках As₂S₃	101
КРАТКИЕ СООБЩЕНИЯ
П. Е. Твердохлеб. Многоканальное вычисление квадратичной формы некогерентными методами	106
В. И. Фельдбуш. Управляемый транспарант для оконтуривания изображений	108
В. И. Бударных, В. Ф. Краснов. Примесное рассеяние горячих электронов в области объемного заряда дырочных полупроводников	110
Н. Д. Гогин. Преобразование Адамара и увеличение масштаба сигнала	112
В. В. Хлобыстов. К задаче устранения неоднозначности фазовых измерений	115
Указатель статей, опубликованных в журнале «Автометрия» за 1980 г.	119
Рефераты статей	131
Список опечаток