Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт автоматики и электрометрии
СОДЕРЖАНИЕ НОМЕРА
От редактора выпуска
СРЕДЫ ДЛЯ ОПТИЧЕСКОЙ ПАМЯТИ
К. К. Шварц. Процессы реверсивной оптической записи в халькогенидных полупроводниковых пленках
К. Танака. Фотоструктурные превращения в аморфных халькогенидных полупроводниках
В. М. Любин. Фотоструктурные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
В. И. Ерошкнн. Некоторые аспекты подхода к созданию бессеребряных фотографических материалов на основе органических светочувствительных соединений
В. И. Ерошкин, Н. В. Павлова. Позитивные люминесцентные фотографические материалы на основе солей диазония
И. Ф. Канаев, В. К. Малиновский, А. М. Пугачев. Фотодеформация и фотогальванический аффект в LiNb03
В. А. Гусев, В. А. Детиненко, А. П. Седельников. Термическая устойчивость силлепитов германия к отжигу в вакууме
Г. Ж. Гринвалдс, В. И. Димза, С.С. Диндун, А. Э. Капениекс, А. Н. Рубулис, А. А. Спрогис, У. А. Улманис, Л. А. Шебанов, А. Р. Штернберг, Р. Штумпе. Влияние легирования и радиационной обработки на физические свойства прозрачной сегнетокерамики ЦТСЛ
ЭЛЕМЕНТЫ ОПТИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВ ОБРАБОТКИ И ХРАНЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ
К. С. Александров, В. А. Середкин, Г. И. Фролов, В. Ю. Яковчук. Оптическая запись в аморфных ферримагнитных пленках
В. Д. Анцыгин, Р. С. Мадоян, А. А. Соколов, О. А. Хачатурян. Сегнетоэлектрические свойства эпитаксиальных тонкопленочных структур ниобата — танталата лития
М. Окаяма, Дж. Ониши, И. Тогами, Ю. Хамакава. Неохлаждаемый ПЗС-приемник ИК-изображения на основе пироэлектрического кристалла LiТаO3
И. Л. Багинский, Э. Г. Косцов. Эффект памяти в тонкопленочной структуре металл — Ba0,5Sr0,5Nb2O6—Si02—Si
Ю. И. Балкарей, А. В. Григорьянц, М. И. Елинсон, Ю. А. Ржанов. Автоколебания, бегущие импульсы и статические расслоения в бистабильных интерферометрах с конкурирующими нелинейностями
КРАТКИЕ СООБЩЕНИЯ
П. Кэтолайнен, А. О. Озолс, В. Я. Пашкевич, М. Я. Рейнфелде, О. Салминен, П. Силфстеи, К. К. Шварц. Голографическое самоусиление в аморфных пленках As2S3
В. В. Лемешко, В. В. Обуховский. Тонкая структура колец четырехволнового кроссрассеяния света
В. А. Гусев, А. П. Елисеев, Б. Г. Ненашев, А. П. Седельников. Фотолюминесценция тиогаллата серебра AgGaS2
A. П. Елисеев, Л. И. Исаенко, Г. Л. Носков. Особенности люминесценции иодата лития
В. В. Атучин, К. К. Зилинг, Д. В. Петров, А. В. Царев. Акустооптическое взаимодействие в волноводах Ti : LiТа03