№ 4 1996 (ИЮЛЬ - АВГУСТ)
СОДЕРЖАНИЕ НОМЕРА
Автор / Название статьи |
номер страницы |
Свиташев К. К., Чикичев С. И. Некоторые проблемы создания многоэлементных фотоприемных устройств на основе твердых растворов теллуридов кадмия и ртути |
3 |
Чикичев С. И. Гетероструктуры CdxHg1-x/Те/.../Si: вчера, сегодня, завтра |
6 |
Васильев В. В., Захарьяш Т. И., Клименко А. Г., Крымский А. И., Марчишин И. В., Недосекина Т. Н., Овсюк В. Н., Ромашко Л. Н., Свиташев К. К., Сусляков А. О., Талипов Н. X., Тишковская Л. В. Фокальные матрицы 2 х 64 для спектрального диапазона 8—10 мкм на объемных кристаллах CdHgTe
|
32 |
Сусов Е. В., Сидоров Ю. Г., Северцев В. Н., Комов А. А., Чеканова Г. В., Дворецкий С. А., Варавин В. С, Михайлов Н. Н., Дьяконов Л. И. Многоэлементный охлаждаемый фоторезистор на основе гетероэпитаксиальных структур HgCdTe
|
40 |
Овсюк В. Н., Сусляков А. О., Захарьяш Т. И., Васильев В. В., Студеникин С. А., Сидоров Ю. Г., Дворецкий С. А., Варавин В. С., Михайлов Н. Н. Фотосопротивления на основе пленок CdHgTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
|
45 |
Войцеховский А. В., Денисов Ю. А., Коханенко А. П., Варавин В. С., Дворецкий С. А., Либерман В. Т., Михайлов Н. Н., Сидоров Ю. Г. Фотоэлектрические и шумовые характеристики эпитаксиальных структур на основе Hg1-xCdxTe (х = 0,22)
|
51 |
Бородовский П. А., Булдыгин А. Ф., Студеникин С. А. СВЧ-методы измерения параметров эпитаксиальных пленок КРТ |
59 |
Булдыгин А. Ф., Вдовин А. В., Студеникин С. А., Токарев А. С., Варавин В. С. Исследование спектра фотопроводимости пленок CdHgTe СВЧ-методом
|
73 |
Костюченко В. Я., Протасов Д. Ю., Студеникин С. А. Исследование фотомагнитного эффекта и фотопроводимости в слоях p-CdHgTe
|
77 |
Талипов Н. Х., Овсюк В. Н., Ремесник В. Г., Васильев В. В. Электрическая активация имплантированных в p-CdxHg1-xTe (х = 0,22) атомов бора при низкотемпературном отжиге под анодным окислом
|
82 |
Крымский А. И., Марчишин И. В., Феклистов К. В., Черепов Е. И. Компенсационный метод считывания с KPT-фотодиодов дальнего ИК-диапазона на основе динамического токового зеркала
|
89 |
Свиташев К. К., Швец В. А., Мардежов А. С., Дворецкий С. А., Сидоров Ю. Г., Спесивцев Е. В., Рыхлицкий С. В., Чикичев С. И., Придачин Д. Н. Метод эллипсометрии в технологии синтеза соединений кадмий—ртуть—теллур
|
100 |
Воскобойников Ю. Е., Петухова Е. В., Свиташева С. Н. Эффективный алгоритм решения обратной задачи эллипсометрии при исследовании тонких пленок
|
110 |
Свиташева С. Н. Особенности решения обратной задачи эллипсометрии для сильно поглощающих пленок |
119 |
Воинов В. Г., Клименко А. Г., Недосекина Т. Н., Новоселов А. Р. Пластические свойства индиевых микростолбов. Проблема контактирования на КРТ
|
126 |
|