№ 4 1998 (ИЮЛЬ - АВГУСТ)
СОДЕРЖАНИЕ НОМЕРА
Автор / Название статьи |
номер страницы |
Свиташев К. К., Чикичев С. И. Полупроводниковые многоэлементные фотоприемные устройства для тепловидения
|
3 |
ТЕХНОЛОГИИ И ЭЛЕМЕНТЫ ФОТОНИКИ |
|
Курышев Г. Л., Ковчавцев А. П., Вайнер Б. Г., Гузев А. А., Базовкин В. М., Строганов А. С, Субботин И. М., Захаров И. М., Ефимов В. М., Постников К. О., Ли И. И., Валишева Н. А., Панова 3. В. Медицинский тепловизор на основе матричного ФПУ 128х128, работающий в диапазоне спектра 2,8-3,05 мкм
|
5 |
Курышев Г. Л., Ковчавцев А. П., Базовкин В. М., Гузев А. А., Ли И. И., Валишева Н. А., Постников К. О., Яковлев А. В., Журавлев П. В. Портативный быстродействующий тепловизор на основе фокальной матрицы МДП-конденсаторов на InAs
|
13 |
Северцев В. Н., Сусов Б. В., Варавин В. С, Дворецкий С. А., Михайлов Н. Н., Чеканова Г. В. 128-элементный охлаждаемый фотоприемник на основе гетероэпитаксиальных структур CdHgTe
|
21 |
Васильев В. В., Есаев Д. Г., Захарьяш Т. И., Клименко А. Г., Козлов А. И., Марчишин И. В., Овсюк В. Н.,
Талипов Н. X., Сидоров Ю. Г., Дворецкий С. А. Матричное фотоприемное устройство 128x128 на основе слоев CdHgTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaAs
|
27 |
Демьяненко М. А., Копп О. Р., Курышев Г. Л., Ли И. И., Овсюк В. Н., Половинкин В. Г., Савченко А. П., Субботин И. М., Торопов А. И., Шашкин В. В. Матричный ИК-фотоприемный модуль на основе многослойных гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs
|
35 |
Васильев В. В., Варавин В. С, Дворецкий С. А., Захарьяш Т. И., Клименко А. Г., Марчишин И. В., Овсюк В. Н., Сидоров Ю. Г., Сусляков А. О. Фотоприемный модуль для тепловизора
|
43 |
ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ |
|
Войцеховский А. В., Денисов Ю. А., Коханенко А. П., Варавин В. С, Дворецкий С. А., Михайлов Н. Н., Сидоров Ю. Г., Якушев М. В. Особенности спектральных и рекомбинационных характеристик МЛЭ-структур на основе CdHgTe
|
47 |
Варавин В. С, Дворецкий С. А., Климов А. Э., Шумский В. Н. Определение характеристик эпитаксиальных пленок CdхHg1-хТе путем измерения эффекта Холла при освещении
|
59 |
Осадчий В. М., Сусляков А. О., Васильев В. В., Дворецкий С. А. Эффективное время жизни неосновных носителей заряда в МЛЭ-слоях CdHgTe с переменным профилем состава по глубине
|
71 |
Кравченко А. Ф., Овсюк В. Н., Ромашко Л. Н. Механизмы переноса носителей заряда в диффузионных n-р-переходах, изготовленных на основе CdHgTe
|
78 |
Белогорохов А. И., Лакеенков В. М., Белогорохова Л. И. Взаимосвязь между микронеоднородностями состава и дополнительными модами в оптических спектрах твердых растворов CdхHg1-хTe
|
88 |
Придачин Д. Н., Якушев М. В., Сидоров Ю. Г., Швец В. А. Изучение процессов адсорбции теллура на кремнии методами эллипсометрии, дифракции быстрых электронов и оже-спектроскопии
|
96 |
Клименко А. Г., Воинов В. Г., Новоселов А. Р., Недосекина Т. П., Васильев В. В., Захарьяш Т. И., Овсюк В. Н. Особо пластичные индиевые микростолбы для матричных ФПУ на CdHgTe
|
105 |
Новоселов А. Р., Клименко А. Г. Скрайбирование поверхности кремниевого кристалла излучением импульсного ультрафиолетового лазера на микронных расстояниях от активных элементов
|
113 |
Илья Филиппович Клисторин |
119 |
|