Институт в фотографиях


№ 5 1981 (СЕНТЯБРЬ - ОКТЯБРЬ)

СОДЕРЖАНИЕ НОМЕРА

Автор / Название статьи номер страницы

СРЕДЫ ДЛЯ ОПТИЧЕСКОЙ ПАМЯТИ

В. Г. Жданов, В. К. Малиновский, А. П. Соколов. Фотоиндуцированные изменения структуры пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников
3
В. И. Димза, А. Э. Круминь. Механизм электропроводности в прозрачной сегнетокерамике ЦТСЛ
14
И. В. Берга, А. П. Гаевскис, Г. Ж. Гринвалд, А. Э. Капениекс, Г. В. Либертс, У. А. Улманис, Л. А. Шебанов, А. Р. Штернберг. Влияние γ-излучения на диэлектрические и электрооптические свойства сегнетокерамики типа перовскита
20
И. Р. Дорош, Ю. С. Кузьминов, Н. В. Ткаченко. Ниобат бария — стронция, легированный церием,— голографическая регистрирующая среда
27
П. А. Аугустов, О. П. Бальва, М. Б. Космына, К. К. Шварц. Зависимость фоторефракции от температуры и интенсивности света в LiTаО3
33
О. А. Гудаев, В. А. Гусев, В. А. Детиненко, А. П. Елисеев, В. К. Малиновский. Уровни энергии в запрещенной зоне кристаллов Bi12GeO20, Bi12SiO20 38
В. А. Гусев, А. П. Елисеев. Фотолюминесценция монокристаллов Bi12GeO20 47
A. М. Балбашов, С. Г. Павлова, Н. Н. Фадеев, А. Я. Червоненкис, А. П. Черкасов. Термомагнитная запись в Bi-содержащих гранатовых пленках
52
B. К. Полянский, А. Г. Ушенко. Поляризационные характеристики лазерного излучения, прошедшего сквозь плоский рассеивающий слой с различным состоянием поверхности раздела с внешней средой
58
Э. Г. Косцов, 3. В. Шапочанская. Импульсный фотоотклик при монополярной инжекции в диэлектрик
62
И. Л. Багинский. Вольт-амперные характеристики диэлектриков с ловушками при неоднородном освещении
68
И. Н. Арсентьев, Е. С. Калевич, С. Г. Конников, В. М. Лантратов, Т. Б. Попова, В. К. Тибилов, В. П. Улин. Изучение ориентационных эффектов при кристаллизации гетероэпитаксиальных слоев твердых растворов. АIIIBV
74
М. Мэй. Обработка изображений с помощью эффекта Вейгерта 86
Ж.-Ш. Вьено, Ж.-П. Годжебер. Пространственно-временная оптика в метрологиии обработке изображений
97
КРАТКИЕ СООБЩЕНИЯ
А. В. Гук, П. И. Коленников, В. Р. Малаховский, Е. Г. Мухина, В. А. Пилипович. Линейные управляемые транспаранты на основе ЦТСЛ-сегнетокерамики
106
A. Н. Кузнецов, Л. П. Порох, Б. В. Ульянов. Исследование краевого эффекта в материале ЦТСЛ для создания управляемых транспарантов
108
B. М. Егоров, Э. Г. Косцов. Особенности организации связей в оптических цифровых вычислительных устройствах, основанных на модуляции светового потока
111
В. И. Беляков, Ю. А. Мухин, Л. А. Орлов, В. Г. Чирков. Изучение параметров электрооптической модуляции в тонких слоях селенида кадмия
113
В. И. Беляков, В. А. Дмитриев, В. Н. Корнетов, В. В. Мокроусов, Л. А. Орлов. Оптические константы двухфазных пленок на основе двуокиси ванадия
114
Д. И. Биленко, В. А. Лодгауз, И. И. Лясковский. Разрешающая способность носителей информации на основе материалов с фазовым переходом металл — полупроводник
116
Рефераты статей 119