Автор / Название статьи |
номер страницы |
СРЕДЫ ДЛЯ ОПТИЧЕСКОЙ ПАМЯТИ
|
|
Т. Р. Волк. Радиационно-индуцированные оптические аффекты в кислородно-октаэдрических полярных кристаллах
|
3 |
С. М. Кострицкий. Фотоиндуцированное комбинационное рассеяние света в γ-облученных кристаллах иодата лития
|
12 |
В. А. Гусев, С. А. Петров. Фотолюминесценция монокристаллов Bi4Ge3O12
|
15 |
А. В. Князьков, Ю. С. Кузьминов. Фоторефрактивные свойства кристаллов ниобата бария — стронция и их применение в динамической голографии
|
19 |
Н. В. Гусак, Л. И. Литинская. Электронно-стимулированные изменения оптических констант в тонких пленках халькогенидных стекол
|
26 |
А. Я. Винокуров, А. Н. Гаркавенко, Л. И. Литинская, А. В. Миронос, А. М. Родин. Влияние радиационного воздействия на оптические свойства ХСП-волокон
|
28 |
B. А. Гусев, С. И. Деменко, С. А. Петров. Фотопроводимость монокристаллов Bi4Ge3012
|
31 |
ЭЛЕМЕНТЫ ОПТИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВ ОБРАБОТКИ И ХРАНЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ
|
|
Л. Б. Глебов, Н. В. Никоноров, Г. Т. Петровский. Запись информации в фотохромных пленарных волноводах на силикатных стеклах
|
33 |
Сиро Ф. Васкес Соарес де Фрейтас, И. В. Черемискин. Исследование излучения, рассеянного на случайных неоднородностях показателя преломления в тонкопленочном волноводе
|
46 |
В. В. Атучин, К. К. Зилинг, А. Т. Клипко. Оптические волноводы LiТа03 : Zr и LiТа03 : Hf
|
52 |
О. Н. Мотрук. Расчет допустимых отклонений параметров подложки носителя информации оптического запоминающего устройства с побитовым представлением данных
|
55 |
МОДЕЛИРОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ
|
|
Г. В. Гадияк, И. В. Травков. Расчет функции распределения электронов в Si02 в слабых электрических полях
|
61 |
В. П. Гинкин. Эффективный метод решения одного класса задач эллиптического типа при отсутствии диагонального преобладания
|
64 |
И. В. Травков, В. А. Швейгерт. Моделирование переноса заряда в диэлектрике со случайно расположенными глубокими центрами захвата с учетом эффектов разогрева электронов
|
67 |
Ю. А. Березин, М. П. Федорук, В. Н. Худик. Баллистический транспорт электронов в полупроводниковом диоде
|
73 |
Ю. И. Балкарей, А. В. Григорьянц, М. И. Елинсон, Ю. А. Ржанов. Численное моделирование полупроводникового оптического мультистабильного элемента с двумя конкурирующими механизмами нелинейности
|
77 |
А. И. Жмакин, О. В. Коваленков, А. И. Кузьмин, Ю. Н. Макаров, А. А. Фурсенко, Б. С. Явич. Исследование особенностей процесса смены состава газовой смеси в эпитаксиальном реакторе вертикального типа
|
80 |
МЕТОДЫ И СРЕДСТВА ОБРАБОТКИ СИГНАЛОВ
|
|
И. М. Арсенин, В. В. Бачурин, В. И. Герасько, Ю. А. Грязин, Б. X. Зингер, В. А. Иванченко, А. Н. Касперович, С. М. Кононов, И. Е. Лобов, Ю. Е. Нестерихин, В. И. Прокопенко, А. Н. Просеков, В. Г. Сутягин, А. А. Янтимиров. Система цифровой регистрации и обработки изображений, получаемых на растровом электронном микроскопе
|
84 |
О. И. Битюцкий, В. С. Киричук, Г. И. Перетягин. Выделение локальных отличий при обработке последовательности изображений
|
92 |
О. А. Бартенева, Н. С. Ульянова, Ю. А. Флегонтов. Разработка алгоритма построения тест-обьектов, имитирующих типовые сюжеты любительской фотографии
|
98 |
Ю. Е. Воскобойников. Эффективный алгоритм решения плохо обусловленных систем уравнений при интерпретации экспериментальных данных
|
104 |
Рефераты статей |
112 |